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CÓDIGO DE IDENTIFICACIÓN DE TRANSISTORES
Normalmente mucha
gente se hace la pregunta "Tengo un transistor marcado de que tipo es?".
Para dar solución a esta pregunta aquí tienes una descripción de los
cСdigos de transistores mАs empleados. Un rápido consejo: mira siempre por números
conocidos (ej. 723, 6502, etc.) entre el sufijo y el
prefijo, y ten cuidado con no confundirlo con la fecha.
Joint Electron Device
Engineering Council (JEDEC) Estos toman la forma:dígito, letra, número de
serie, [sufijo], donde la letra es siempre 'N' El primer dígito es siempre una
unidad menor que el número de patillas, (2 para transistores, no estoy seguro
si transistores de 4 patillas tienen 3) excepto para 4N y 5N que están reservados
para optoacopladores.
El número de
serie se sitúa entre el 100 y el 9999 y no dice nada sobre el transistor, salvo
su fecha aproximada de introducción.
El [sufijo]
opcional indica la ganancia (hfe) genИrica del
dispositivo:
A = ganancia baja
B = ganancia media
C = ganancia alta
Sin sufijo =
cualquier ganancia
Mira la hoja de
características para saber la ganancia exacta del dispositivo. La razón para
agrupar la ganancia de forma genИrica es que los dispositivos de baja
ganancia son bastante más baratos que los de alta ganancia, lo que se traduce
en un ahorro para un gran número de usuarios.
Ejemplos: 2N3819,
2N2221A, 2N904.
Japanese Industrial Standard (JIS)
Toman la forma:
dígito, dos letras, nЗmero
de serie, [sufijo]
Nuevamente, el
dМgito es una unidad menor que el nЗmero de patillas.
Las letras
indican el Аrea de aplicaciСn y tipo de
dispositivo segЗn el siguiente cСdigo:
SA: Transistor PNP HF SB: Transistor PNP AFSC: Transistor NPN HF SD: Transistor NPN AFSE: Diodos SF: TiristoresSG: Dispositivos de disparo SH: UJTSJ: FET/MOSFET de canal-p SK: N-channel FET/MOSFETSM: Triac SQ: LEDSR: Rectificadores SS: Diodos de seЯalST: Diodos avalancha SV: VaricapsSZ: Diodos zener
El
nЗmero de serie varia entre 10 y 9999.
El [sufijo] opcional
indica que dicho tipo está aprobado para el empleo por varias organizaciones
japonesas.
NOTA:
Desde que el cСdigo de los transistores siempre comienza por 2S, este es
siempre omitido (en la mayoría de los casos), por ejemplo: un 2SC733 puede
estar marcado como C 733.
Ejemplos:
2SA1187, 2SB646, 2SC733. Pro-electrón
Toman la forma:
dos letras, [letra],
nЗmero de serie, [sufijo]
La primera letra
indica el material:
A = Ge
B = Si
C = GaAs
R = mezcla de materiales.
No es necesario
decir que la gran mayoría de los transistores comienzan por B.
La segunda letra
indica la aplicación del dispositivo:
A: Diodo RF
B: Variac
C: transistor, AF, pequeЯa seЯal
D: transistor, AF, potencia
E: Diodo tunel
F: transistor, HF, pequeЯa seЯal
K: Dispositivo de efecto Hall
L: Transistor, HF, potencia
N: Optoacoplador
P: Dispositivo sensible a la radiaciСn
Q: Dispositivo productor de radiaciСn
R: Tiristor, baja potencia
T: Tiristor, potencia
U: Transistor, potencia, conmutaciСn
Y: Rectificador
Z: Zener, o diodo regulador de tensiСn
La tercera letra
indica que el dispositivo está pensado para aplicaciones industriales o
profesionales, más que para uso comercial. suele ser
una W, X, Y o Z.
El número de
serie varia entre 100 y 9999.
El sufijo indica
la ganancia genérica en grupo, como en los JEDEC.
Ejemplos: BC108A,
BAW68, BF239, BFY51.
Aparte de los
tres tipos anteriores los fabricantes casi siempre introducen sus propios
tipos, por razones comerciales (ej. para poner su
nombre en el cСdigo) o para enfatizar que el rango pretenece
a una aplicación especializada.
Los prefijos más
comunes son:
MJ: Motorolla potencia, cАpsula de metalMJE: Motorolla potencia, cАpsula de plАsticoMPS: Motorolla baja potencia, cАpsula de plАsticoMRF: Motorolla HF, VHF y transistores microondasRCA: RCARCS: RCSTIP: Texas Instruments transistor de potencia (capsula de plАstico)TIPL: TI transistor de potencia planoTIS: TI transistor de pequeЯa seЯal (capsula de plАstico)ZT: FerrantiZTX: Ferranti
Ejemplos:
ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.
Muchos
fabricantes también producen series a medida para un gran volumen destinado a
determinados clientes. Estas series están optimizadas para ser empleadas en una
determinada parte de un circuito concreto.
Normalmente llevan puesto la señal del productor y un número irreconocible.
A veces cuando una compañía quiebra o termina la producción se libra de estos
transistores, los cuales acaban oferta
para aficionados.
No hay forma de reconocer
estos dispositivos, así que solo son utilizables como conductores de LED, buffers, etc, donde el parámetro
actual no es importante. Ten cuidado cuando compres.
Una vez que
identifiques tu componente hay que acceder a la hoja de características o libro
de equivalencias.
DESIGNACIÓN DE
TRANSISTORES:
Normalmente el
tipo de designación de transistores son dos letras seguidas de tres números.
Ej.: BA 145. La primera letra indica si los dispositivos son con uniones o sin
uniones y también indica el tipo de material de que está hecho. La segunda
letra indica de que clase de dispositivo se trata, si de un diodo o de un
transistor y de que tipo. Y los tres números siguientes son números de serie
que indica que son dispositivos semiconductores diseñados para empleo
principalmente en aparatos domésticos.
Los que tienen
una letra y dos cifras no son para empleo domésticos sino para sistemas del ejercito o algo relacionado. Ahora se presentará una tabla
en el que indicará que significa cada nomentatura.
|
PRIMERA LETRA distingue entre dispositivos con uniones y sin uniones e
indica el material. |
SEGUNDA LETRA indica la aplicación principal y también la
construcción en el caso de que se requiera una mayor diferenciación. |
NÚMERO DE SERIE |
|
Dispositivos con uniones A.
Dispositivos con una o más uniones, que utilizan materiales con un margen de
banda de 0,6 a 1.0 V, tales como germanio. B.
Dispositivos con una o más uniones, que utilizan materiales con un margen de
banda de 1,0 a 1,3V, tales como silicio. C.
Dispositivos con una o más uniones, que utilizan materiales con un margen de banda
de 1,3V en adelante, tales como arsenluro de galio. D.
Dispositivos con una o más uniones, que utilizan materiales con un margen de
banda de menos de 0,6V, tales como antimonluro de
indio. Dispositivos
sin uniones R.
Dispositivos sin uniones, que utilizan materiales como los empleados en
generadores Hall y células fotoconductoras. |
A. Diodo, detector, alta velocidad, mezclador. B. Diodo de
capacidad variable C.
Transistor de BF (baja poten- cia). D.
Transistor de potencia para BF. E. Diodo
túnel. F.
Transistor de RF (baja poten- cia). G. Múltiple
de dispositivos no similares. H. Sonda de
campo. K Generador Hall en un circuito magnético abierto. L. Transistor
potencia para aplicaciones RF. M. Generador
Hall en un circuito magnético cerrado. P.
Dispositivo sensible a radiaciones. Q.
Dispositivo generador de radiaciones. R.
Dispositivo de control y conmutación disparado eléctricamente, con una
característica de ruptura (baja po- tencia). S.
Transistor conmutación (baja potencia). T.
Dispositivo de potencia para control y conmutación disparado eléctricamente o
por medio de la luz, que tiene una característica de ruptura. U.
Transistor de potencia conmutación. X. Diodo
multiplicador. Y. Diodo
rectificador, recuperador, de eficiencia. Z. Diodo de
referencia de tensión o regulador de tensión. |
Tres cifras para los dispositivos semiconductores diseñados para
empleo principalmente en aparatos domésticos. Una letra y
dos cifras para los dispositivos semiconductores no diseñados para empleo
principalmente en aparatos domésticos. |
En muchos de
los circuitos, los transistores y diodos están señalados solamente como
"TUP", "TUN", "DUG" o "DUS". Esto
indica que hay muchos transistores que son equivalentes aunque tengan una
designación diferente.
Están estas
familias de semiconductores representadas por las siguientes abreviaturas. TUP : Transistor Universal PNP ( de silicio ).
TUN : Transistor Universal NPN ( de silicio )
DUG : Diodo Universal de Germanio
DUS : Diodo Universal de Silicio.
TUP, TUN, DUG
y DUS han de cumplir ciertas especificaciones mínimas para ser considerados
como tales. Las especificaciones mínimas pueden verse en estas tablas.
TRANSISTORES
|
|
Tipo |
Vceo max. |
Ic. max |
hFE min. |
Ptot max. |
fT min. |
|
TUN TUP |
NPN PNP |
20V 20V |
100mA 100mA |
100 100 |
100mW 100mW |
100MHz 100MHz |
DIODOS
|
|
Tipo |
VR max. |
IF max. |
IR max. |
Ptot max. |
CD max |
|
DUS DUG |
Si Ge |
25V 20V |
100mA 35mA |
1 µA 100 µA |
250 mW 250 mW |
5 pF 10 pF |
|
|