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       TAREA 1

CÓDIGO DE IDENTIFICACIÓN DE TRANSISTORES

Normalmente mucha gente se hace la pregunta "Tengo un transistor marcado de que tipo es?".
Para dar solución a esta pregunta aquí tienes una descripción de los cСdigos de transistores mАs empleados.  Un rápido consejo: mira siempre por números conocidos (ej. 723, 6502, etc.) entre el sufijo y el prefijo, y ten cuidado con no confundirlo con la fecha.

Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC)                                    Estos toman la forma:dígito, letra, número de serie, [sufijo], donde la letra es siempre 'N' El primer dígito es siempre una unidad menor que el número de patillas, (2 para transistores, no estoy seguro si transistores de 4 patillas tienen 3) excepto para 4N y 5N que están reservados para optoacopladores.

El número de serie se sitúa entre el 100 y el 9999 y no dice nada sobre el transistor, salvo su fecha aproximada de introducción.

El [sufijo] opcional indica la ganancia (hfe) genИrica del dispositivo:

A = ganancia baja
B = ganancia media
C = ganancia alta

Sin sufijo = cualquier ganancia

Mira la hoja de características para saber la ganancia exacta del dispositivo. La razón para agrupar la ganancia de forma genИrica es que los dispositivos de baja ganancia son bastante más baratos que los de alta ganancia, lo que se traduce en un ahorro para un gran número de usuarios.

Ejemplos: 2N3819, 2N2221A, 2N904.

Japanese Industrial Standard (JIS)

 Toman la forma:

dígito, dos letras, nЗmero de serie, [sufijo]

Nuevamente, el dМgito es una unidad menor que el nЗmero de patillas.

Las letras indican el Аrea de aplicaciСn y tipo de dispositivo segЗn el siguiente cСdigo:

SA:     Transistor PNP HF       SB:     Transistor PNP AF
SC:     Transistor NPN HF       SD:     Transistor NPN AF
SE:     Diodos                  SF:     Tiristores
SG:     Dispositivos de disparo SH:     UJT
SJ:     FET/MOSFET de canal-p   SK:     N-channel FET/MOSFET
SM:     Triac                   SQ:     LED
SR:     Rectificadores          SS:     Diodos de seЯal
ST:     Diodos avalancha        SV:     Varicaps
SZ:     Diodos zener

El nЗmero de serie varia entre 10 y 9999.

El [sufijo] opcional indica que dicho tipo está aprobado para el empleo por varias organizaciones japonesas.

NOTA:
Desde que el cСdigo de los transistores siempre comienza por 2S, este es siempre omitido (en la mayoría de los casos), por ejemplo: un 2SC733 puede estar marcado como C 733.

Ejemplos: 2SA1187, 2SB646, 2SC733. Pro-electrón

Toman la forma:

dos letras, [letra], nЗmero de serie, [sufijo]

La primera letra indica el material:

A = Ge
B = Si
C = GaAs
R = mezcla de materiales.

No es necesario decir que la gran mayoría de los transistores comienzan por B.

La segunda letra indica la aplicación del dispositivo:

A: Diodo RF
B: Variac
C: transistor, AF, pequeЯa seЯal
D: transistor, AF, potencia
E: Diodo tunel
F: transistor, HF, pequeЯa seЯal
K: Dispositivo de efecto Hall
L: Transistor, HF, potencia
N: Optoacoplador
P: Dispositivo sensible a la radiaciСn
Q: Dispositivo productor de radiaciСn
R: Tiristor, baja potencia
T: Tiristor, potencia
U: Transistor, potencia, conmutaciСn
Y: Rectificador
Z: Zener, o diodo regulador de tensiСn

La tercera letra indica que el dispositivo está pensado para aplicaciones industriales o profesionales, más que para uso comercial. suele ser una W, X, Y o Z.

El número de serie varia entre 100 y 9999.

El sufijo indica la ganancia genérica en grupo, como en los JEDEC.

Ejemplos: BC108A, BAW68, BF239, BFY51.

Otros

Aparte de los tres tipos anteriores los fabricantes casi siempre introducen sus propios tipos, por razones comerciales (ej. para poner su nombre en el cСdigo) o para enfatizar que el rango pretenece a una aplicación especializada.

Los prefijos más comunes son:

MJ:         Motorolla potencia, cАpsula de metal
MJE:      Motorolla potencia, cАpsula de plАstico
MPS:       Motorolla baja potencia, cАpsula de plАstico
MRF:       Motorolla HF, VHF y transistores microondas
RCA:       RCA
RCS:       RCS
TIP:        Texas Instruments transistor de potencia (capsula de plАstico)
TIPL:      TI transistor de potencia plano
TIS:       TI transistor de pequeЯa seЯal (capsula de plАstico)
ZT:         Ferranti
ZTX:      Ferranti

Ejemplos: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

Muchos fabricantes también producen series a medida para un gran volumen destinado a determinados clientes. Estas series están optimizadas para ser empleadas en una determinada parte de un circuito concreto.
Normalmente llevan puesto la señal del productor y un número irreconocible.
A veces cuando una compañía quiebra o termina la producción se libra de estos transistores, los cuales acaban  oferta para aficionados.

No hay forma de reconocer estos dispositivos, así que solo son utilizables como conductores de LED, buffers, etc, donde el parámetro actual no es importante. Ten cuidado cuando compres.

Una vez que identifiques tu componente hay que acceder a la hoja de características o libro de equivalencias.

 

DESIGNACIÓN DE TRANSISTORES:

Normalmente el tipo de designación de transistores son dos letras seguidas de tres números. Ej.: BA 145. La primera letra indica si los dispositivos son con uniones o sin uniones y también indica el tipo de material de que está hecho. La segunda letra indica de que clase de dispositivo se trata, si de un diodo o de un transistor y de que tipo. Y los tres números siguientes son números de serie que indica que son dispositivos semiconductores diseñados para empleo principalmente en aparatos domésticos.

Los que tienen una letra y dos cifras no son para empleo domésticos sino para sistemas del ejercito o algo relacionado. Ahora se presentará una tabla en el que indicará que significa cada nomentatura.

PRIMERA LETRA

distingue entre dispositivos con uniones y sin uniones e indica el material.

SEGUNDA LETRA

indica la aplicación principal y también la construcción en el caso de que se requiera una mayor diferenciación.

NÚMERO DE SERIE

Dispositivos con uniones

A. Dispositivos con una o más uniones, que utilizan materiales con un margen de banda de 0,6 a 1.0 V, tales como germanio.

B. Dispositivos con una o más uniones, que utilizan materiales con un margen de banda de 1,0 a 1,3V, tales como silicio.

C. Dispositivos con una o más

uniones, que utilizan materiales con un margen de banda de 1,3V en adelante, tales como arsenluro de galio.

D. Dispositivos con una o más uniones, que utilizan materiales con un margen de banda de menos de 0,6V, tales como antimonluro de indio.

Dispositivos sin uniones

R. Dispositivos sin uniones, que utilizan materiales como los empleados en generadores Hall y células fotoconductoras.

A. Diodo, detector, alta velocidad, mezclador.

B. Diodo de capacidad variable

C. Transistor de BF (baja poten- cia).

D. Transistor de potencia para BF.

E. Diodo túnel.

F. Transistor de RF (baja poten-

cia).

G. Múltiple de dispositivos no similares.

H. Sonda de campo.

K Generador Hall en un circuito magnético abierto.

L. Transistor potencia para aplicaciones RF.

M. Generador Hall en un circuito magnético cerrado.

P. Dispositivo sensible a radiaciones.

Q. Dispositivo generador de radiaciones.

R. Dispositivo de control y conmutación disparado eléctricamente, con una característica de ruptura (baja po-

tencia).

S. Transistor conmutación (baja potencia).

T. Dispositivo de potencia para control y conmutación disparado eléctricamente o por medio de la luz, que tiene una característica de ruptura.

U. Transistor de potencia conmutación.

X. Diodo multiplicador.

Y. Diodo rectificador, recuperador, de eficiencia.

Z. Diodo de referencia de tensión o regulador de tensión.

Tres cifras para los dispositivos semiconductores diseñados para empleo principalmente en aparatos domésticos.

Una letra y dos cifras para los dispositivos semiconductores no diseñados para empleo principalmente en aparatos domésticos.

 

En muchos de los circuitos, los transistores y diodos están señalados solamente como "TUP", "TUN", "DUG" o "DUS". Esto indica que hay muchos transistores que son equivalentes aunque tengan una designación diferente.

Están estas familias de semiconductores representadas por las siguientes abreviaturas. TUP : Transistor Universal PNP ( de silicio ).

TUN : Transistor Universal NPN ( de silicio )

DUG : Diodo Universal de Germanio

DUS : Diodo Universal de Silicio.

TUP, TUN, DUG y DUS han de cumplir ciertas especificaciones mínimas para ser considerados como tales. Las especificaciones mínimas pueden verse en estas tablas.

TRANSISTORES

 

Tipo

Vceo max.

Ic. max

hFE min.

Ptot max.

fT min.

TUN

TUP

NPN

PNP

20V

20V

100mA

100mA

100

100

100mW

100mW

100MHz

100MHz

DIODOS

 

Tipo

VR max.

IF max.

IR max.

Ptot max.

CD max

DUS

DUG

Si

Ge

25V

20V

100mA

35mA

1 µA

100 µA

250 mW

250 mW

5 pF

10 pF